2021年11月,微星採訪了群聯科技首席技術官Sebastien Jean,以了解更多關於SSD的未來 賭博 特別是關於群聯在其新的 M.2 PCIe Gen5 卡上所做的工作。熱烈的對話涵蓋了從 SSD 控制器設計、性能改進和熱管理到供應鏈挑戰以及 Gen5、Gen6 及更高版本的最佳用例等方方面面。
我們整理了以下一些亮點。享受。
MSI:讓我們從基礎開始。什麼是存儲控制器以及它在 SSD 中的功能是什麼?
塞巴斯蒂安: SSD 通常由三個主要部分組成:控制器、高速緩存(速度非常快的內存)以及 3D NAND 閃存本身(所有數據最終存儲在其中)。
SSD 控制器有多個組件。第一個是處理元件(Phison 通常使用 ARM Cortex-R5)。如果你仔細想想,SSD 本質上是一個管道處理單元。這就像一條裝配線。當你收到命令時,你首先必須對其進行解碼,了解它是什麼,然後開始做出決定。該裝配線的每個部分都會在非常短的時間內(幾分之一微秒)查看命令。根據 SSD 中 NAND 的數量,您可以擁有 20 到 3 或 400 個並行點。當您使用真正先進的企業級 SSD 驅動器時,您需要深度隊列來讓它們保持忙碌,以充分發揮 1、2 或 300 萬 IOPS 的潛力。
控制器的下一個組件稱為 ECC(糾錯碼)引擎,用於糾正 NAND 上的錯誤。 NAND 會受到熱量和時間的影響,因此位可能會開始翻轉。群聯已經開發出非常強大的 EEC發動機 糾正所有這些自然發生的錯誤,這是任何 SSD 驅動器的基本要求。
MSI:那麼,ECC 不在閃存本身上嗎?
塞巴斯蒂安: 編碼並附加到數據的 ECC 位位於閃存上,但閃存本身不具備處理它們的能力,這會使閃存過於昂貴。因此,ECC 單元內置於存儲控制器中。存儲控制器具有 SRAM——一個或多個 CPU 微核,以及 ECC、密碼學和其他類似的加速器。
MSI:您提到使用 ARM R5 處理器。如果您升級到更快的速度,這會對性能有所幫助嗎?
塞巴斯蒂安: 用更大的內核替換內核並不一定會提高性能。更大的核心具有更大的矽面積,這使得芯片和 SSD 整體上更加昂貴。因此,從根本上來說,當您構建 SSD 時,您希望將其視為基於其所服務的工作負載或應用程序的平衡行為。例如,您可以製作具有四個非常大的核心的 SSD,也可以構建具有許多較小核心的 SSD。在 SSD 中擁有多個處理器的優點是,您不必用自己的一小部分時間來運行每個進程並進行大量調度。對於 PC 上的 CPU 來說這可能沒問題,但對於 SSD 來說就浪費了開銷。因此,正如我之前所說,我們有 20 個核心的多個並行點,每個核心執行一項小工作,從而推動為命令提供服務的工作。
MSI:我們今天討論的是你們的旗艦型號之一,PCIe Gen4,速度可達 7 GB/s。您的控制器採用 12 納米製成。如果採用 10 納米甚至 7 納米,能否獲得更高的吞吐量?
塞巴斯蒂安: 是和不是。 Phison 針對特定帶寬和 IOPS 目標生產 SSD 控制器,因此我們的一些中級控制器可能設計為 5 GB/s,而更高級的控制器則設計為 7 GB/s。採用更新、更快的工藝節點並不一定是正確的選擇。同樣,這取決於應用程序和我們想要做什麼。從根本上來說,歸結為以合理的價格提供最好的技術的平衡。
但要回答您的問題,切換流程節點將為您做一些事情。芯片會變得更小,但是在這種特殊情況下我們沒有尺寸限制。它允許您將內部頻率設置得更快一些,但我們不需要更快地滿足當前的性能節點。它確實減少了洩漏。所有矽晶體管都會洩漏一點電流,即使您沒有切換,因此採用更小的工藝節點會對此有很大幫助。相反,如果您跳上最新的工藝節點,而您並不真正需要它,那麼您所做的只是購買成本,這會使您的 SSD 更加昂貴,而沒有任何額外好處。如果您要製造運行頻率為 2 GHz 的 CPU(使用少量大/快速內核時通常會出現這種情況),那麼您需要最新的工藝節點。對於 SSD,進步並不總是與最新的工藝節點有關。這是關於智能設計,例如通過並行性來解決問題並降低頻率。您可能會過早地跳到最新的工藝節點,而無法推進您的技術。
微星:如果使用DDR4或DDR5內存,M.2 SSD性能會提高嗎?
塞巴斯蒂安: 群聯生產 DRAM 和無 DRAM 的 SSD,但使用 DRAM 的 SSD 極力不使用 DDR 內存。快速路徑實際上並不經過 DDR;它先經過 SRAM,然後經過數據路徑。 DDR用於邏輯到物理地址轉換,因此實際的錶帶寬要求小於SSD帶寬,因此DDR4或DDR5沒有太大區別。很長一段時間以來,我們都對 DDR3 感到滿意。我們當前的型號使用 DDR4,我們正在開發的型號正在轉向 DDR5。在某種程度上,為了降低成本,採用主導工藝節點是有意義的。如果你在舊節點上停留太久並且供應量下降,價格就會上漲。
MSI:E16,您的第一個 PCIe Gen4 控制器,是向前邁出的一大步。然後你介紹了E18。這是計劃還是 E18 控制器的引入是為了解決技術挑戰,以真正從 SSD 中獲得這些速度?
塞巴斯蒂安: 這是一個有趣的問題。這倆 E16 和 E18 被計劃了。我們當時試圖做的是滿足上市時間要求。 Gen4當時還是一個很大的問號。我們在產品上市之前很久就與 CPU 供應商進行了交談,他們總是在啟用新技術,這些新技術可能會或可能不會在他們的下一個產品中啟用,即使它可能在芯片中。所以,業內對於是否開啟Gen4存在很多疑問。當我們得到 AMD(第一個將 Gen4 推向市場的產品)已致力於 Gen4 的積極確認時,我們承諾並將 E16 推向市場,以與平台發布同時進行。我們不僅是第一個向市場推出 Gen4 SSD 的公司,而且在大約 18 個月的時間裡,我們是客戶端領域市場上唯一的 Gen4 SSD。當我們的競爭對手推出第一代 Gen4 產品時,我們已經發布了第二代產品。所以,是的,E18 正在使接口飽和,這在很大程度上要歸功於我們從 E16 中學到的所有經驗教訓,E16 是我們在該領域的第一個 ASIC。
MSI:你幾乎已經觸及了 Gen4 的能力極限。是否有任何改進的空間,例如,您是否正在研究 IOPS 性能等領域?
塞巴斯蒂安: 您始終可以提高 IOPS,但這會直接影響 ASIC 成本。在 E18 所在的客戶領域,當前一代正是它所需要的。我們可以將 IOPS 加倍,但我不確定平台是否可以利用它。我們幾乎已經接近 Gen4 的原始速度限制,但還有其他方法可以優化,也許仍然可以從中獲得更多。
MSI:這是否意味著將會有E19?
塞巴斯蒂安: 有 E19,但它的目標是無 DRAM 的空間,該空間更注重價值而不是性能。從遊戲玩家的角度來看,我想你想問的是會有E18 plus還是super Turbo?簡而言之,答案是否定的——第四代技術的可能性已經飽和。但是,我們將繼續利用 E18 和 Gen4 將該技術滲透到其他泳道中。由於 E19 的目標是降低成本,因此它不會使接口飽和。因此,刷新將增加更多 GB/s 並提高 IOPS。因此,隨著我們繼續從 12 納米過渡到下一個工藝節點(7 納米),在該領域仍有發展空間。
MSI:您認為直接存儲會加速 Gen4 市場的發展嗎?
塞巴斯蒂安: 我認為它總體上加速了計算,尤其是在客戶端領域。從根本上來說,直接存儲是一種繞過 NTFS 層的只讀接口。 NTFS 是 Windows 的標准文件系統,注重可靠性,並且已經存在很長時間了。它內部有很多層,每一層都會增加一點延遲。直接存儲的作用是為您提供通往 SSD 的直接管道,並儘可能少地進行處理。操作系統增加了盡可能少的延遲,並且它是一個只讀接口。因此,需要快速 I/O 的只讀工作負載(主要是客戶端空間中的遊戲)將受益於直接存儲。這種低延遲管道本質上是遊戲、手機、平板電腦和個人電腦的計算所在。
MSI:群聯科技在這些新技術上的研發工作提前了多久?
塞巴斯蒂安: SSD 本身需要六到十八個月的時間,具體取決於我們對其內部進行的更改程度。但是,在 ASIC 真正成為產品之前,實現下一個矽工藝節點的技術通常需要兩到三年的時間。因此,我們非常了解 Gen6,並且已經開始設計支持 Gen6 SSD 的低級組件,但讓我談談為什麼從計算角度來看 Gen5 如此有趣。
DDR4 2133 每個通道大約為 14 GB/s,遊戲 PC 有四到六個通道。現在,有了 Gen5x4,我們就有了 14 GB SSD。確實,下一代主板上現在有更快的 DDR4 和 DDR5,但這並不是重點。我們現在可以將 SSD 存儲和 DRAM 相提並論,在同一空間中運行。 SSD 永遠不會取代 DRAM,因為 DRAM 針對 64 位 I/O 進行了優化 – 它具有超低延遲。但是,如果從緩存的角度來看,CPU 具有 L1、L2、L3 RAM 緩存,而 Gen5 SSD 可以以與 DDR 相同的速度作為 L4 緩存運行。因此,現在 SSD 的自然粒度與 CPU 的緩存架構相一致,這就是開始改變計算機總體工作方式的地方。
MSI:太棒了。您認為這些新產品未來面臨的最大挑戰是什麼?
塞巴斯蒂安: 隨著每一代產品的速度不斷提高,我們的挑戰將繼續是控制熱量。但如果你看看 PC 的發展方向這一更大的問題,客戶端領域的一種認識是,M.2 PCIe Gen5 正在達到其發展方向的極限,實際接口或連接器將成為 PC 發展的瓶頸。未來的速度。因此,新的連接器正在開發中,並將在未來幾年內上市,這將大大提高 SSD 通過傳導到主板的信號完整性和散熱能力。
MSI:供應鏈問題呢?我們尤其看到顯卡的短缺,但許多其他組件和材料也出現短缺。這對群聯和你們產品的一致性有何影響?
塞巴斯蒂安: 全球供應鏈的各種短缺並沒有真正影響群聯電子。 SSD 有一些特別獨特的組件。其中包括控制器,可能包括 DRAM、NAND 和電源管理 IC (PMIC)。其他一切都是分立的——電容器和電阻器——而且不乏這些。對於NAND和DRAM,群聯有長期供應協議,我們預先採購它們以始終有庫存。 PMIC供應短缺實際上是許多製造商的問題,但我們自己製造。當群聯開發新的SSD控制器時,我們也同時設計PMIC並製造兩者。
我們從大量交易中受益。大約 20 年前,群聯剛成立時,我們只是一家普及 USB 拇指驅動器的小公司。如今,我們提供各種類型的存儲,從醫療、工業、運輸、航空航天、遊戲、工作站和企業解決方案到手機、汽車和物聯網中的嵌入式存儲。正因為如此,我們的交易量非常大。因此,只要我們繼續提前做好預測並管理關鍵組件的庫存,就不會出現問題。
MSI:它會始終保持平衡,還是您認為存儲的未來會更加關注容量而不是速度和容量?
塞巴斯蒂安: 行業中的一切都在朝著更高密度、更高速度的方向發展。客戶空間可能會保持平衡,優質產品的速度和密度都會提高,這有點沿著我們過去幾年看到的技術曲線。但群聯爲各種市場的各種不同專業應用生產 SSD。我們擁有超高密度 16 TB QLC SSD,在高性能計算市場(從事數據庫分析、人工智能/機器學習、基因組學和其他大數據科學研究工作的人們)中非常受歡迎。然後,我們擁有全 SLC SSD,對於執行寫入密集型工作負載或需要穩態性能的人來說非常有用,以便您可以爆發和維持相同的性能。在消費領域,我們將專注於平衡,偏向於遊戲的密度和性能。對於價值市場和中等市場,需要在成本和特定工作負載需求之間進行權衡,因為如果您使用的只是瀏覽器,則不需要瘋狂的性能。
MSI:對於遊戲來說,似乎大多數 SSD 都選擇了帶有 SLC 緩存的 TLC 內存。但如果您想在相同的物理芯片尺寸內獲得更大的容量,是否必須採用 QLC?
塞巴斯蒂安: 不好了。我們現在可以製作最大8TB的M.2格式的TLC SSD和最大16TB的U.2格式的SSD,但是16TB的SSD相當昂貴。
MSI:遊戲的尺寸不斷增加,您需要下載大量的高清紋理和其他數據。我們開始看到 8 TB 和 16 TB TLC M.2 變得更便宜只是時間問題嗎?
塞巴斯蒂安: 是的,它們肯定會變得更加便宜,因為 NAND 供應商總是在增加芯片的密度以降低成本。所以,TLC還會繼續有生命力。但 QLC 在非遊戲應用中變得非常有趣。你可以在QLC SSD上玩遊戲,因為流量主要是讀,而QLC擅長讀。它只是不擅長寫入,速度要慢得多。但我想說,密度將繼續上升。價格將繼續下降。成本與密度的最佳點正在上升:上一代是 1 TB。下一代將是 2 TB,再往後的三四代將是 4 TB。因此,對於除遊戲之外的任何應用程序,您可能會看到更多的 QLC,因為大多數人使用驅動器所做的就是讀取數據 - 您編寫一次 Windows 操作系統,然後從它啟動無數次。當然,有補丁並且它們會進入,但速度沒有那麼高。